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将二极管边缘终端的长度缩短至1/5以下

2021-06-19 19:14

本文摘要:富士电机与香港科技大学组成的科学研究工作组在ISPSD2016上发布了可扩大二极管的边缘终端(EedgeTermination)地区的新技术应用。与过去设定保护环的边缘终端相比,该技术性可使边缘终端的长度增加至1/5下列。 伴随着二极管大大的搭建微优化,做为元器件充分发挥的积极地区更为小,边缘终端在二极管处理芯片中所占到的占比则更为大。特别是在是键入电流量较小的二极管,边缘终端所占到的占比更高。

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富士电机与香港科技大学组成的科学研究工作组在ISPSD2016上发布了可扩大二极管的边缘终端(EedgeTermination)地区的新技术应用。与过去设定保护环的边缘终端相比,该技术性可使边缘终端的长度增加至1/5下列。  伴随着二极管大大的搭建微优化,做为元器件充分发挥的积极地区更为小,边缘终端在二极管处理芯片中所占到的占比则更为大。特别是在是键入电流量较小的二极管,边缘终端所占到的占比更高。

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在作为白色家电等的抗压600V的5A二极管中,边缘终端的长度大概为350M,在全部处理芯片总面积中所占到的占比超出了大概55%。因而,该科学研究工作组刚开始科学研究如何增大边缘终端。  本次应用了在二极管表层挖到管沟,随后用BCB(苯并环丁烯)等铺满管沟的构造。

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在积极地区为0.55mm2(相当于2A)的状况下,应用该构造设定边缘终端,仅有以35m的长度就获得了759V的抗压特点。据了解,这一标值还接近过去应用保护环方法的边缘终端的1/5。


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